MRAM，即磁阻式随机访问存储器的简称，兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性。STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM，属于MRAM的二代产品，解决了MRAM写入信息存在的问题。

STT-MRAM存储单元的核心仍然是一个MTJ（磁性隧道结），由两层不同厚度的铁磁层及一层几个纳米厚的非磁性隔离层组成，它是通过自旋电流实现信息写入的。目前，STT-MRAM已经从几家代工厂（GlobalFoundries、英特尔、三星、台积电和联电）中脱颖而出，成为一种非常有吸引力的IP选择。

STT-MRAM具有以下几个出色的特性：

• 储存时间长

• 高密度

• 随机访问

• 接近零泄漏功率

• 低写误码率

STT-MRAM的开发步骤包括以下几项：
第一步是材料的堆栈工程——例如，晶体结构、原子组成、厚度和每个层边界的界面特性。需要通过详细的“自旋极化”计算确定以下材料特性：

• 磁各向异性 (K)

• 磁饱和 (Ms)

• 隧道磁阻性（TMR）